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Vishay推出的新款60 V MOSFET是業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件


作者:    時間:2019/8/12 22:48:12  來源:   
器件專門用于標準柵極驅動電路,柵極電荷低至22.5 nC,QOSS為34.2 nC,采用PowerPAK® 1212-8S封裝

 

賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件,10 V條件下最大導通電阻降至4 mW,采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度,柵極電荷僅為22.5 nC,同時具有低輸出電荷(QOSS)。

 

與邏輯電平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平臺電壓,適用于柵極驅動電壓高于6 V的電路,器件最佳動態特性縮短死區時間,防止同步整流應用發生擊穿。SiSS22DN業內低導通電阻比排名第二的產品低4.8%—與領先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC,QOSS與導通電阻乘積,即零電壓開關(ZVS)或開關柜拓撲結構功率轉換設計中,MOSFET的重要優值系數(FOM)達到最佳水平。為實現更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節省65%的PCB空間。

 

SiSS22DN改進了技術規格,經過調校最大限度降低導通和開關損耗,多電源管理系統構件可實現更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級,以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。

 

MOSFET經過100 % RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

 

SiSS22DN現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為30周,視市場情況而定。

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