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全新Applied Centura? Pronto? EPI ATM腔體助力IDM和晶圓制造商實現高產能


作者:    時間:2017/5/3 11:39:26  來源:   
        目前,中國正處在功率器件制造的發展初期,同時也是關鍵的增長市場。與此同時,中國半導體制造產業的快速發展也推動了IDM和晶圓制造商對外延工藝(Epi Tools)的強烈需求。
        憑借二十多年的Epi工藝生產經驗,應用材料公司新推出Applied Centura® Pronto™ EPI ATM腔體,幫助IDM和晶圓制造商以最低的風險、實現最佳晶圓性能。該系統可提高生長速度,降低化學物流量,縮短清潔時間,降低清潔耗材成本。應用材料公司的原錚博士(200mm半導體及動力輔助設備產品部門全球服務產品事業部副總裁)詳細介紹了這一全新設備。
 
原錚博士(應用材料公司200mm半導體及動力輔助設備產品部門全球服務產品事業部副總裁)
 
        原錚博士用自己過去幾十年做產品的經驗表示,做產品最好不要大改,最好的辦法是,在現有基礎上,做小的改動,最大化的發揮其功能!
 
 
        應用材料公司推出的面向功率器件和微機電系統(MEMS)產業的全新Applied Centura® Pronto™ EPI ATM腔體,以求生產卓越品質的厚硅外延層(20~150微米),同時不損害該設備在生成較薄外延層(<20微米)上的出色表現,并加速推動6寸/8寸晶圓批量制造的產量提升和成本降低。功率器件和MEMS要求外延硅薄膜極度均勻,電阻率差異低于2%。為達到這些要求,應用材料公司對標準6寸/8寸Epi腔體的關鍵硬件和軟件都做了升級,并實現:
        (1)在單道工序中生成厚達150微米的硅外延層;
        (2)與標準腔體相比更短的清洗時間;
        (3)在清洗工序間對多片晶圓完成外延工藝(<20微米);
        (4)顯著降低耗材成本。因為一旦外延工藝設備完全折舊,運行成本就會對盈利能力產生重大而直接的影響,所以,嚴格控制耗材成本對于整體盈利能力至關重要。
          “作為外延工藝的先鋒和外延設備的市場領導者,應用材料公司發揮自身長期以來在材料工程領域積累的專長,重新設計了Epi腔體,形成了一套高生產力的Centura Epi ATM解決方案,能夠在同一個腔體內實現寬范圍的Epi厚度,并將薄膜生長速率提高至6um/min,化學品消耗降低25%,運行成本降低30%,從而為晶圓制造商和器件制造商提高經濟且高效的Epi工藝能力。這是目前唯一能夠在同一腔體內生產薄和厚(<1—150微米)外延的設備。” 原錚博士補充道。在一項500晶圓片的耐力測試中,全新的Epi腔體在生成100微米厚的硅外延層時展現了高于每分鐘6微米的生產速率,達到批量制造設備的三倍。此外,Epi腔體的設計和更短的工藝推動了三氯氫硅前體的化合效率和效能最優化,使得腔體更清潔,并減少了去除圓頂鍍膜所需的鹽酸消耗量。
關鍵詞:高產能 應用材料
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